當(dāng)沒有更便宜更有效的方法來批量生產(chǎn)太赫茲發(fā)射器（ terahertz emitters）時，激光蝕刻 不失為一個增大砷化鎵（gallium arsenide：GaAs）輸出的好辦法。GaAs是一種常見的用于這些設(shè)備的半導(dǎo)體材料。

　　日本沖繩科學(xué)技術(shù)研究所(OIST：Okinawa Institute of Science and Technology Graduate University)飛秒光譜部門研究人員表示，GaAs薄膜的表面微觀結(jié)構(gòu)對能量吸收和散發(fā)起到重要作用。

　　利用飛秒激光脈沖蝕刻材料會形成能夠增強光吸收的微型凹槽和波紋。完成這個步驟后，如果被足夠高能的激光泵浦，GaAs太赫茲輸出將增強65%。

　　研究者Julien Madéo表示：“飛秒激光蝕刻便于我們設(shè)計材料性能，并克服它們的內(nèi)在局限性，如，引導(dǎo)至接近100%的光子吸收、更寬廣的吸收帶寬和電子濃度與生命周期控制。”

　　飛秒激光蝕刻在GaAs薄膜表面形成微型凹槽和波紋。比例尺是10μm，放大3500倍。

　　蝕刻技術(shù)盡管降低了物質(zhì)內(nèi)部的光電流，卻增強了物質(zhì)的輸出。這種有悖于常理的現(xiàn)象是由蝕刻的GaAs 比未經(jīng)蝕刻的GaAs具備更短的電荷載流子生命周期。

　　太赫茲區(qū)位于電磁波譜內(nèi)的紅外線和微波之間，并包括從0.1mm至1mm的波長。激發(fā)太赫茲波很困難，因為他們的頻率對于一般的無線電發(fā)射機來講太高，對于光發(fā)射器來講又太低。

　　有種最常用的一種太赫茲發(fā)射器叫光導(dǎo)天線，由兩個電觸頭和電觸頭之間的一片薄膜半導(dǎo)體（通常是GaAs）組成。當(dāng)天線暴露于激光短脈沖之下時，在半導(dǎo)體內(nèi)，光子激起電子，太赫茲輻射短脈沖也隨之產(chǎn)生。如此一來，激光光束的能量被轉(zhuǎn)化為太赫茲波。

　　太赫茲輻射會被水吸收，太赫茲設(shè)備在地球大氣層到短距離的使用也受到限制。但是太赫茲輻射可以穿透纖維、紙、硬紙板、塑料、木頭和陶瓷。很多物質(zhì)都在太赫茲波段有一個特殊的“標(biāo)記”，便于通過太赫茲掃描儀進行識別。

　　而且，不同于X射線和紫外線，太赫茲輻射是非電離的，在活組織和DNA上使用的時候更加安全。太赫茲波也可以用于通訊，比目前的微波提供更大的帶寬。

關(guān)鍵字：激光蝕刻催生GaAS太赫茲輻射|激光腐蝕|化學(xué)腐蝕|激光雕刻|激光打標(biāo)|激光刻字|激光

方圓激光

2015-101001